Ansys VeloceRF 电感器和变压器设计工具-卡核

制造商：ANSYS, Inc.
　　Ansys VeloceRF 是一种感应器件综合和建模工具，支持低至 3nm 的先进节点，并与领先的 EDA 平台集成。

　　一、产品概述：

　　1、将螺旋器件和 T 线合成和建模至 3nm

　　Ansys VeloceRF 大大缩短了合成和建模复杂螺旋器件和 T 线所需的时间，从而缩短了设计周期。编译一个电感器或变压器的几何结构只需要几秒钟，而建模和分析它只需要几分钟。它与领先的 EDA 平台集成，可实例化可流片布局。

　　合成 DRC 清洁设备

　　得到所有主要铸造厂的支持

　　硅验证

　　减小硅片尺寸和成本

　　2、快速规格

　　Ansys VeloceRF 允许您合成具有多个器件和线的紧密封装的器件，以实现优化的硅平面图。在详细布局之前分析任意数量的电感器件之间的耦合将减小设计尺寸并减少或消除保护环。DRC 清洁设备

　　低至 3nm

　　验证准确

　　设备形状库多设备耦合

　　使用参数化扫描进行优化

　　生成 PCells/PyCells

　　减小设备尺寸包括 LDE 效果

　　S 参数和 RCLk

　　二、产品能力：

　　为低至 3nm 的毫米波设计合成和建模螺旋器件和 T 线

　　Ansys VeloceRF 只需几分钟即可合成和分析毫米波螺旋器件和 T 线。它可以生成 DRC/DFM 清洁设备 – 包括填充 – 到 3nm。这些器件采用无源、因果 S 参数和高度紧凑的 RLCk 网表模型进行建模，并且可以作为 PCells/PyCells 交付，以获得更大的几何灵活性。上下文优化通过对多个设备和生产线进行紧凑的平面布局封装以及减少或消除保护环，可以显着减小芯片尺寸。它通过预定义的设备构建模块库支持高频，并支持任意数量的感应设备之间的耦合。

　　三、主要特点：

　　VeloceRF 提供硅上电感器件的综合综合、建模、分析和优化。

　　1、硅验证

　　2、优化平面图包装

　　3、减小设备尺寸

　　4、预定义形状库

　　5、通过参数化扫描优化性能

　　6、支持超过 200 种硅技术

　　7、合成大多数类型的感应设备

　　单螺旋电感器：差分、单端、方形和八角形，带或不带中心抽头。

　　多螺旋电感器：变压器、巴伦、T 型线圈和串联差动。

　　T 线：屏蔽线、双屏蔽线、带状线、耦合器、组合器和其他准备流片的类型。

　　8、减小硅器件尺寸并优化平面图

　　Ansys VeloceRF 计算任意数量的电感器之间的耦合，以更好地优化硅空间。使用 VeloceRF，您可以拧紧或消除保护环，还可以优化硅平面图。

　　9、在全电路环境中优化电感器

　　Ansys VeloceRF 提供电感参数的参数扫描支持，以提供电路环境中的更佳解决方案。它允许在电感器之间进行独特的耦合分析，以确保消除与串扰相关的故障。

　　10、在几秒钟内合成用于纳米 CMOS 的毫米波器件

　　Ansys VeloceRF 为毫米波频率的设计提供经过验证的硅精度。多种 T 型线结构支持类似 LEGO® 的设计方法，包括：微带线、共面波导（屏蔽和双屏蔽）、带状线、45 度和 90 度弯曲、T 型接头、短截线、分支线耦合器，威尔金森分频器等。

　　11、与 EDA 平台和代工厂设计套件无缝集成

　　Ansys VeloceRF 目前支持超过 200 种独特的代工技术，并适用于半导体代工厂的任何工艺（CMOS、BiCMOS、GaAs、SOS、SOI），包括 TSMC、UMC、Global Foundries、TowerJazz、三星等。VeloceRF 支持低至 3nm 的所有工艺节点。它与领先的 EDA 平台集成，VeloceRF 模型可以与寄生提取网表结合使用。

　　12、支持先进的工艺技术和高频效果

　　Ansys VeloceRF 在完整的 3D 网格划分算法将导体的体积分割成小单元之前计算布局相关效应 (LDE)。3D 基板模型允许非常快速和准确地提取分布式 RC 基板网络。提取的模型非常准确，可以捕捉所有电磁现象，包括电流分布、趋肤效应和邻近效应。